特許
J-GLOBAL ID：201103002549544955
プラズマCVD装置およびプラズマCVD装置を用いたシリコン系膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033903
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237459
特許番号：特許第4578693号
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 プラズマCVD反応室と、前記反応室内において成膜用基板を支持するための基板支持電極と、前記基板に対面すべき対向電極とを備え、
前記対向電極は中空であって、前記基板に向けて反応ガスを吹出すために、複数のガス吹出孔および複数の差圧調整孔を有するガス吹出面板を含み、前記差圧調整孔は前記ガス吹出孔の入口側の孔径よりも大きな径を有し、
前記ガス吹出孔の長さが前記ガス吹出面板の厚さより小さく、そのガス吹出孔の入口側が前記差圧調整孔に接続されており、
前記ガス吹出面板が前記基板と対向する面において、プラズマの発生を促進するためのプラズマ促進溝が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/505 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C23C 16/505
