特許
J-GLOBAL ID：201103002704817149
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-020447
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223461
特許番号：特許第3177973号
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板をベースとして白金族金属電極と強誘電体膜との組み合わせからなる容量部を有する半導体装置の製造方法であって、白金族金属電極と該白金族金属電極に接して形成されるシリコン系絶縁膜を成膜後の基板を、金属除去用薬液に微量のフッ酸およびキレート剤を添加した洗浄液に浸漬して洗浄する工程と、前記白金族金属電極の一部を露出させる工程と、該白金族金属電極が露出した基板の裏面を金属除去用薬液に微量のフッ酸およびキレート剤を添加した洗浄液で洗浄する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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