単結晶SiCの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：鈴江孝一 , 鈴江正二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-313698
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130998
特許番号：特許第3551106号
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】α-SiC単結晶基板の表面上にSi層を成膜した後、その成膜されたSi層の表面にSi原子及びC原子により構成された板状体を密着状態に積層した後、その複合体を不活性雰囲気下で熱処理することにより、板状体をα-SiC単結晶基板の結晶方位に倣って単結晶化させて単結晶SiCを一体に成長させることを特徴とする単結晶SiCの製造方法。

IPC (2件)：