特許
J-GLOBAL ID：201103003176947546
シリコン基板の熱処理方法およびその基板を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073821
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269221
特許番号：特許第3811582号
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チョクラルスキー法により製造された単結晶から得たシリコン基板を熱処理する方法において、シリコン基板として導電型がP型であり、初期酸素濃度が16ppma以上19.5ppma以下のものを用い、水素100%またはアルゴン100%あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気下で、シリコン基板を1050°C以上の温度で保持した後に8°C/秒以上の冷却速度で急速冷却する第1段階熱処理(該第1段階熱処理の前に前記シリコン基板の表層に無欠陥層を形成させる熱処理を行う場合を除く)をした後、350°C以上800°C以下の温度で第2段階熱処理を加え、1×108個/cm3以上の内部欠陥密度が得られるようにすることを特徴とするシリコン基板の熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/26 ( 200 6.01)
H01L 21/322 Y
, H01L 21/20
, H01L 21/26 G
