特許
J-GLOBAL ID：201103003295989192
薄膜回路基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020329
公開番号（公開出願番号）：特開2002-223068
特許番号：特許第3750532号
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に下部薄膜電極を形成する工程と、
該基板の表面に、前記下部薄膜電極を覆うように、有機絶縁膜を形成する工程と、
パターニング用マスクを用いて、前記有機絶縁膜にマスクパターンに対応するビアホールを形成する工程と、
He、Ne、Ar、Kr、Xeからなる群より選ばれる少なくとも1種の不活性ガスのイオンを前記有機絶縁膜が形成された面側から照射して、前記イオンをビアホールを経て、前記下部薄膜電極にまで到達させることにより、下部薄膜電極の表層の酸化膜を除去するとともに、有機絶縁膜の表面にスルホン基、カルボキシル基、カルボニル基、フェノール基からなる群より選ばれる少なくとも1種の官能基を生成させて、有機絶縁膜の表面に、下記の式(1):
表面改質係数=官能基の総数/有機絶縁膜表面に存在するCの総数......(1)
で表される表面改質係数が0.1〜0.5の表面改質層を形成する工程と、
前記ビアホールを介して前記下部薄膜電極と電気的に導通する上部薄膜電極を、前記表面改質層が形成された前記有機絶縁膜の表面に形成する工程と
を具備することを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。
IPC (5件)：
H05K 3/38 ( 200 6.01)
, H05K 1/11 ( 200 6.01)
, H05K 3/26 ( 200 6.01)
, H05K 3/42 ( 200 6.01)
, H01L 23/14 ( 200 6.01)
H05K 3/38 A
, H05K 1/11 H
, H05K 3/26 F
, H05K 3/42 610 A
, H01L 23/14 R
