特許
J-GLOBAL ID：200903084607074784

シリコンを母材とする複合材料及びその製造方法

発明者：
八重 真治

八重 真治 について

, 
平野 達也

平野 達也 について

, 
松田 均

松田 均 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 河野 広明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-054506
公開番号（公開出願番号）：特開2009-209420
出願日： 2008年03月05日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：
【課題】シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法を提案する。【解決手段】シリコン100の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第1金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第2金属又は前記第2金属の合金106により充填されることにより、高精度に充填された、換言すれば、空隙の形成されにくい複合材料が得られる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
シリコンの表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第1金属が起点となって、前記非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第2金属又は前記第2金属の合金により充填されている シリコンを母材とする複合材料。
IPC (2件)：
C23C 18/18 ,  C23F 1/24
FI (2件)：
C23C18/18 ,  C23F1/24
Fターム (15件)：
4K022AA05 ,  4K022AA37 ,  4K022BA04 ,  4K022BA06 ,  4K022CA15 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K057WA12 ,  4K057WB06 ,  4K057WE02 ,  4K057WE07 ,  4K057WG03 ,  4K057WJ05 ,  4K057WN01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)

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