特許
J-GLOBAL ID：200903099205855973

フォトレジスト下層膜形成材料およびパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-402332
公開番号（公開出願番号）：特開2005-049810
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 珪素含有2層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、248nm、193nm、157nmの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なn値、k値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含んでなるポリマーを含有する、フォトレジスト層の下層膜を形成するためのフォトレジスト下層膜形成材料を提供する。【化1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含んでなるポリマーを含有する、フォトレジスト層の下層膜を形成するための材料。
IPC (4件)：
G03F7/11 ,  C08F212/14 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/11 503 ,  C08F212/14 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R
Fターム (43件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB32 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J100AB07P ,  4J100AR09Q ,  4J100AR21Q ,  4J100AR31Q ,  4J100AR32Q ,  4J100AR33Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA10P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC43P ,  4J100BC48P ,  4J100BC49P ,  4J100BC53P ,  4J100BC54P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA63 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (8件)
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