特許
J-GLOBAL ID：201103003807752394

半導体レーザ装置及びそれを用いた光送信装置。

発明者：
直江 和彦

直江 和彦 について

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湯浅 堂司

湯浅 堂司 について

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東口 晃久

東口 晃久 について

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加藤 哲哉

加藤 哲哉 について


出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (2件)： ポレール特許業務法人 ,  小川 勝男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-102920
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299751
特許番号：特許第4690569号
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体電界吸収型変調器集積レーザの前方出力光を光ファイバーに光学的に結合させる光学手段と、上記導体電界吸収型変調器集積レーザの後方出力光をモニタするモニターフォトダイオードと、上記モニターフォトダイオードによって制御され、上記半導体電界吸収型変調器集積レーザの半導体レーザの駆動電流を発生するレーザ駆動電源とを持つ半導体レーザ装置において、 上記モニターフォトダイオードと上記レーザ駆動電源との間に上記モニターフォトダイオードから出力されたモニタ電流が入力され、このモニタ電流のレベルに対して増幅率が変わる非線型アンプを設け、 前記非線形アンプは、前記半導体電界吸収型変調器集積レーザにおけるレーザ部から変調器部への光出力レベルに応じて異なる二つの増幅率を切替える制御を行なうことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (9件)：
H01S 5/026 ( 200 6.01) ,  H01S 5/0683 ( 200 6.01) ,  H04B 10/04 ( 200 6.01) ,  H04B 10/06 ( 200 6.01) ,  H04B 10/14 ( 200 6.01) ,  H04B 10/26 ( 200 6.01) ,  H04B 10/28 ( 200 6.01) ,  H04B 10/142 ( 200 6.01) ,  H04B 10/152 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01S 5/026 616 ,  H01S 5/068 ,  H04B 9/00 Y ,  H04B 9/00 L
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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