特許
J-GLOBAL ID：201103003858652521

プラズマCVD装置及びプラズマCVD装置を用いたシリコン系膜の製造方法

発明者：
村田正義

村田正義 について


出願人/特許権者：
村田 正義

村田 正義 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-041070
公開番号（公開出願番号）：特開2011-109141
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：
【課題】薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマCVD装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマCVD装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、パウダーの発生を抑制可能なプラズマCVD技術が強く求められている。【解決手段】ガス噴出孔を有する電極の表面に、原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔と希釈ガスのみを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置するとともに、該希釈ガス噴出孔を該噴出方向が基板表面の法線方向以外に向くように設置させるということを特徴とする。原料ガスのプラズマ化と希釈ガスのプラズマ化を空間的に分離し、かつ、それらを接触させて、混合させることが可能となる。これにより、高品質・高速の製膜が可能となる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
排気系を備えた真空容器と、 原料ガスの供給源及び該原料ガスを希釈する希釈ガスの供給源と、 該原料ガス及び該希釈ガスを該真空容器に導入するガス導入管と、 該原料ガス及び該希釈ガスを噴出するガス噴出孔を有する電気的に非接地の平行平板型の第1の電極及び基板を載置する平行平板型の第2の電極からなる一対の電極と、 該一対の電極に高周波電力を供給する高周波電力供給系と、を具備し、 該真空容器内に設置された基板に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、 前記ガス噴出孔は前記原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔と前記希釈ガスのみを噴出する複数の希釈ガス噴出孔から構成され、かつ、該原料ガス噴出孔と該希釈ガス噴出孔は互いに異なる位置に分離して配置されるということを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/24
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  C23C16/24
Fターム (25件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045BB01 ,  5F045BB15 ,  5F045CA13 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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