特許
J-GLOBAL ID：201003020923040576

薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者：
滝 正和

滝 正和 について

, 
津田 睦

津田 睦 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-241027
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073970
出願日： 2008年09月19日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】従来の高圧枯渇法によって製造される微結晶シリコン薄膜と同等の良好な結晶性を維持しつつ、堆積レートを高速化させることが可能な薄膜形成装置および薄膜形成方法を得ること。【解決手段】成膜室10内に基板ステージ11とプラズマ電極12とが対向して配設され、プラズマ電極12にシランガスと水素ガスとを供給して、高周波電圧を印加してプラズマを生成し、基板ステージ11に保持された基板100上に微結晶シリコン膜を形成する薄膜形成装置において、プラズマ電極12に成膜室10の外部から供給されるシランガスを基板100上に吹出させるシランガス貯気供給室120と、プラズマ電極12に成膜室10の外部から供給される水素ガスを水素プラズマにして基板100上に吹出させるとともに、シランガス貯気供給室120から吹出されるシランガスをプラズマ化させる水素ガス供給部130と、を備える。【選択図】 図2-3
請求項（抜粋）：
成膜室内に基板ステージとプラズマ電極とが対向して配設され、前記プラズマ電極にシランガスと水素ガスとを供給するとともに高周波電圧を印加してプラズマを生成し、前記基板ステージに保持された基板上に微結晶シリコン薄膜を形成する薄膜形成装置において、 前記成膜室の外部から前記プラズマ電極に供給される前記シランガスを前記基板上に吹出させるシランガス供給手段と、 前記成膜室の外部から前記プラズマ電極に供給される前記水素ガスを水素プラズマにして、前記シランガス供給手段から吹出される前記シランガスに接触させるように前記基板上に吹出させて、前記シランガスをプラズマ化させる水素ガス供給手段と、 を備えることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/513 ,  H01L 31/04
FI (6件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  C23C16/513 ,  H01L31/04 V
Fターム (39件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE21 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F051AA04 ,  5F051BA14 ,  5F051BA18 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA16 ,  5F051CA21 ,  5F151AA04 ,  5F151BA14 ,  5F151BA18 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA16 ,  5F151CA21
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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