特許

J-GLOBAL ID：200903070569933998

プラズマCVD用のカソード電極、およびプラズマCVD装置

発明者： 鈴木 正康
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 塩野入 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-100705
公開番号（公開出願番号）：特開2009-253102
出願日： 2008年04月08日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】カソード電極を最適化して高密度なプラズマを生成する。【解決手段】アノード電極を凹凸形状とすることによって、ホローカソードを形成し、カソード面へのイオン入射により放出さる電子を凸部と凹部からなるカソード電極間に閉じ込め、高密度電子の空間を形成することができる。この高密度電子空間に反応ガスを噴出させることで高密度のプラズマを生成する。カソード電極において、凸部を形成する全ての突出部は、アノード電極側の端部の高さレベルを同一とする。また、凹部を形成する底面は、突出部の端部の高さレベルからの距離を異にする複数の底面部分を含む構成とする。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

高周波を印加して高周波容量結合型プラズマを形成する電極であって、 カソード電極は、 アノード電極と対向して配置し、 アノード電極と対向する対向面は、底面から成る凹部と、当該凹部の底面からアノード電極側に向かって突出する複数の突出部から形成される凸部とからなる凹凸形状を有し、 前記凸部の少なくとも何れか一つの突出部は、側面に反応ガスの噴出を可能とする反応ガス噴出し孔を少なくとも一つ有し、 前記凸部を形成する全ての突出部は、アノード電極側の端部の高さレベルを同一とし、 前記凹部を形成する底面は、前記突出部の端部の高さレベルからの距離を異にする複数の底面部分を含むことを特徴とするプラズマCVD用のカソード電極。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  C23C16/509 ,  H05H1/46 M

Fターム (33件)：

4K030BA27 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030EA04 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA17 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045BB02 ,  5F045CA13 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EF15 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EK07 ,  5F045GB06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-033903   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-083531   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (4件)

• プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-272800   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 特開平1-247574
  
• 高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202770   出願人：菅原實, アネルバ株式会社
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-083838   出願人：株式会社小松製作所