特許
J-GLOBAL ID：200903035201049362
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083531
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296526
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】従来のプラズマCVD装置では、原料ガスの高圧・枯渇条件を作ることにより高速製膜を図ることができる。しかし、この方法では十分でなく、微結晶シリコン薄膜太陽電池作製に求められる製膜速度(約10 nm/s)は達成できていない。また、高圧条件下では気相中でパウダーが形成されやすく、装置の稼働率を低下させている。【解決手段】本願発明のプラズマCVD装置は、アノード表面に基板を設置し、カソード板を反応容器内に反応ガスを基板面内に均一に導入するシャワーヘッド型導入口と一体型とし、カソード板表面形状を長円筒状の窪みを格子状に並べたものを溝で連結させた凹凸のあるものとし、長円筒状の凹部にその径より小さな径の穴を作製し反応ガス導入口とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
反応容器、該容器内に反応ガスを導入する手段、ガスを排出する手段、該容器内に収容されたカソード及びアノードから成る放電用電極並びに該電極に電力を供給する電源とを有し、反応容器内に設置された基板表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、該反応ガスを該基板面内に均一に導入するシャワーヘッド型導入口と該カソード電極を一体型とし、該カソード電極表面に複数の凹部を設け、該凹部の底部に該凹部の短辺よりも小さな穴を穿ち、該穴を反応ガス導入口としたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L21/205
, C23C16/455
, H01L31/04
H01L21/205
, C23C16/455
, H01L31/04 V
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BB04
, 4K030BB05
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030KA15
, 4K030KA16
, 4K030KA17
, 4K030LA16
, 5F045AA08
, 5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AE23
, 5F045BB15
, 5F045CA13
, 5F045DP03
, 5F045EF05
, 5F045EF07
, 5F045EH05
, 5F045EH19
, 5F051CA15
