半導体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：山崎宏 , 前田厚司 , 仲倉幸典 , 小池隆彌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117480
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307198
特許番号：特許第3608976号
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】分子線エピタキシャル成長法により、複数の層を積層して半導体素子を製造する際、所望の層の同一材料に対する原料の供給を、複数の分子線セルを用いてなり、組成が異なる層毎に、その組成を決定する同一の材料の分子線セルの数が異なってなることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：