特許

J-GLOBAL ID：201103003989443740

基板処理装置

発明者： 中嶋 誠世 ,  西脇 倫子 ,  油谷 幸則 ,  岡田 格 ,  西谷 英輔 ,  中込 和広 ,  池田 和人 ,  示野 和弘 ,  太田 岳児 ,  笠次 克尚
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084590
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274094
特許番号：特許第4203206号
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 被処理基板が載置されるサセプタと、前記サセプタの下方に配置されて前記サセプタに載置された前記被処理基板を加熱する加熱ユニットとを処理室内に備えており、前記サセプタと前記加熱ユニットとが相対的に回転された状態で前記被処理基板に処理が施され、 前記サセプタは、中央部材と該中央部材の周囲を囲む周辺部材とから構成されており、前記周辺部材は石英によって形成されている基板処理装置であって、 前記サセプタが前記処理室内にて昇降するように構成されており、前記処理室には前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させる被処理基板昇降装置が設置されており、前記加熱ユニットは前記処理室内にて昇降するように構成されており、前記被処理基板昇降装置が前記サセプタおよび前記加熱ユニットの昇降に連係して前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させるように構成されており、 前記被処理基板昇降装置により前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させる際には、前記サセプタと前記加熱ユニットとの距離を一定に保った状態で昇降させるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-088559   出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
• 薄膜成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-120604   出願人：信越半導体株式会社
• 基板の枚葉式熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-200336   出願人：大日本スクリーン製造株式会社