特許
J-GLOBAL ID：201103003992037191

半導体装置、及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-020373
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181913
出願日： 2011年02月02日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、より高い耐衝撃性を付与することを目的の一とする。より多様化する用途に対応でき、利便性が向上した信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】半導体装置において、基板上に、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層とを含むボトムゲート構造のトランジスタと、トランジスタ上に絶縁層と、絶縁層上に導電層とを有し、絶縁層は酸化物半導体層を覆い、かつゲート絶縁層と接して設けられ、酸化物半導体層のチャネル幅方向において、ゲート電極層上でゲート絶縁層と絶縁層とは端部が一致し、導電層は、酸化物半導体層のチャネル形成領域と、ゲート絶縁層及び絶縁層の端部とを覆い、かつゲート電極層と接して設けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
可撓性基板上に、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層とを含むボトムゲート構造のトランジスタと、前記トランジスタ上に絶縁層と、前記絶縁層上に導電層とを有し、 前記絶縁層は前記酸化物半導体層を覆い、かつ前記ゲート絶縁層と接して設けられ、 前記酸化物半導体層のチャネル幅方向において、前記ゲート電極層上で前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とは端部が一致し、前記導電層は、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と、前記ゲート絶縁層及び前記絶縁層の前記端部とを覆い、かつ前記ゲート電極層と接して設けられることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G09F 9/30
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D ,  G09F9/30 338
Fターム (63件)：
5C094AA36 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094EA10 ,  5C094EB01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM