電界効果型トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-399801
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166713
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】チャネル層に有機物半導体層を備え、ドレイン電流、オンオフ比および閾値電圧等のトランジスタ特性を改善した電界効果型トランジスタを提供すること。【課題手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極の間に形成されるチャネル領域に配置された有機物半導体層とを有し、前記有機物半導体層が、ソース電極とドレイン電極を結ぶ平面方向に膜面を持つ薄膜であり、前記ゲート電極が、少なくとも2方向から有機物半導体層を覆うように配置されたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極の間に形成されるチャネル領域に配置された有機物半導体層とを備え、前記有機物半導体層が、ソース電極とドレイン電極を結ぶ平面方向に膜面を持つ薄膜であり、前記ゲート電極が、少なくとも2方向から有機物半導体層を覆うように配置されたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617K , H01L29/78 617N , H01L29/28

Fターム (33件)：

5F110AA05 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE08 , 5F110EE22 , 5F110EE29 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機回路の作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090010 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

審査官引用 (10件)

有機半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-272234 出願人：セイコーエプソン株式会社
有機半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-049466 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平3-084963

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