電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269480
特許番号：特許第3398613号
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 InGaAs又はGaAsからなる電子走行層と,該電子走行層上に順次堆積されたn型AlGaAsからなる電子供給層及びAlGaAsからなるショットキ層と,該ショットキ層上に設けられたゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって,該電子供給層のAl組成比が0.5モル比未満であり,該ショットキ層のAl組成比が0.5モル比以上であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：