太陽電池の製法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363379
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177128
特許番号：特許第3786809号
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】形成すべき表面電極の形成予定部分以外の表面部分に、厚み5〜20nmの酸化膜層が形成された半導体基板を準備する工程と、上記部分的に酸化膜層が形成された半導体基板に、ガス拡散法を用いて拡散処理を施すことにより、酸化膜層が形成されていない部分の基板表層部に、キャリア濃度が高く深さの深い拡散層を形成し、酸化膜層が形成されている部分の基板表層部に、キャリア濃度が低く深さの浅い拡散層を形成する工程と、上記酸化膜層を除去する工程と、上記キャリア濃度が高く深さの深い拡散層が形成された基板部分の上に表面電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製法。

IPC (1件)：