特許
J-GLOBAL ID：201103004777896732

電気光学装置及び投射型表示装置

発明者：
倉科 久樹

倉科 久樹 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-037509
公開番号（公開出願番号）：特開2002-244154
特許番号：特許第3982183号
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板と、 前記基板上にマトリクス状に配置された画素電極と、 前記画素電極の縦横の境界に各々沿って配置された走査線及びデータ線と、 平面的に見て前記走査線または前記データ線と重なる領域内に配置され、前記画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、 前記画素電極に接続された蓄積容量と、 前記薄膜トランジスタ及び前記走査線の上側に配置されており前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域及び前記走査線を上側から覆う上側遮光膜と、 前記薄膜トランジスタの下側に配置されており前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を下側から覆う下側遮光膜と を備えており、 前記蓄積容量は、容量線と、誘電体を介して前記容量線と対向して配置された容量電極とを有し、 前記上側遮光膜は、平面視で前記走査線と重なる領域の一部において、少なくとも部分的に前記蓄積容量の容量線或いは容量電極の一部を構成し、 少なくとも前記薄膜トランジスタを構成する半導体層に含まれるソース領域、ドレイン領域及び前記チャネル領域は、平面的に見て、前記走査線と重なる領域内または前記データ線と重なる領域内に配置され、 少なくとも前記チャネル領域は、平面的に見て前記走査線と前記データ線とが交差する領域と重なる位置に配置され、 前記基板には、前記走査線及び前記データ線に対向する領域に第1溝が掘られており、 前記基板には更に、前記第1溝内における前記チャネル領域に対向する領域に第2溝が掘られており、 前記下側遮光膜は、少なくとも前記第2溝の側壁及び前記第2溝の底面に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
IPC (7件)：
G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G02F 1/13 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1335 ( 200 6.01) ,  G03B 21/00 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (11件)：
G02F 1/136 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/133 500 ,  G02F 1/133 7 ,  G03B 21/00 E ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 C ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 626 C
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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