特許
J-GLOBAL ID：201103004866250552

半導体モジュールおよびその製造方法

発明者：
原田 大輔

原田 大輔 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-117717
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249364
出願日： 2010年05月21日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：
【課題】樹脂モールド時に樹脂の流れの力によってボンディングワイヤが隣接するボンディングワイヤと接触したり、断線したりすることを抑制する。【解決手段】樹脂の流れを遮る抑制壁30を備える。例えば、第2電気配線14に対して抑制壁30を備えるようにする。この抑制壁30によって樹脂の流れが遮られるため、樹脂の流れがボンディングワイヤ22に対して垂直方向とならないようにでき、ボンディングワイヤ22が樹脂によって流されることを抑制できる。これにより、隣接するボンディングワイヤ22と接触したり、断線したりするという問題を発生させないようにでき、歩留まりの悪化を抑制できると共に、コストアップを防止することが可能となる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体パワー素子が形成された半導体チップ(11)と制御端子(15)とをボンディングワイヤ(22)にて電気的に接続すると共に、前記半導体チップ(11)を放熱板(12)上に搭載し、その後、成形型内に前記放熱板(12)および前記半導体チップ(11)を配置して樹脂注入を行うことで、前記放熱板(12)および前記半導体チップ(11)を樹脂モールド部(16)でモールドして一体構造とした半導体モジュールであって、 前記半導体チップ(11)と前記制御端子(15)とを接続する前記ボンディングワイヤ(22)の長手方向に対する垂直方向に、前記樹脂注入における樹脂入口から前記ボンディングワイヤ(22)への樹脂の流れを抑制する抑制壁(30)を配置していることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/28 ,  H01L 23/50 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (4件)：
H01L23/28 A ,  H01L23/28 B ,  H01L23/50 G ,  H01L25/04 C
Fターム (8件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109GA10 ,  5F067DF01 ,  5F067DF11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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