特許
J-GLOBAL ID：201103006101782893

シリコン半導体基板の製造方法

発明者：
長谷部 政美

長谷部 政美 について

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中居 克彦

中居 克彦 について

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岩崎 俊夫

岩崎 俊夫 について

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大橋 渡

大橋 渡 について

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碇 敦

碇 敦 について


出願人/特許権者：
シルトロニック・ジャパン株式会社

シルトロニック・ジャパン株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084916
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109396
特許番号：特許第3989122号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコン融液を凝固温度〜800°Cまでの結晶温度範囲を2.0°C/分以上、および800°C〜400°Cまでの結晶温度範囲を1.0°C/分以上で冷却し、窒素含有量1.0x1013〜1.0x1016atoms/cm3および酸素含有量1.0x1017atoms/cm3以上のシリコン結晶から切り出されたシリコンウェハをサブストレートウェハとする段階と、 前記サブストレートウェハ表面にエピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積する段階と、を有するシリコン半導体基板の製造方法であって、 少なくとも前記サブストレートウェハとエピタキシャル法により堆積したシリコン単結晶層の界面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が5x104個/cm3以下、かつ直径換算で20nm以上の結晶欠陥の密度が5x105個/cm3以下であり、かつ前記サブストレートウェハの厚み中心において、直径換算で20nm以上の結晶欠陥密度が1x108個/cm3以上であるシリコン半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/322 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 Y
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (11件)
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引用文献：
出願人引用 (2件)

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