金属配線の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369401
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185541
特許番号：特許第4583533号
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】金属膜及び前記金属膜上にフォトレジストを有する基板を反応室に搬送し、前記反応室内で、前記フォトレジストをマスクとして、前記金属膜を、塩素を含有するガスを用いて、エッチングすることにより、金属配線を形成し、かつ、前記金属配線の表面に塩素系化合物が生成され、前記反応室内にH2Oガスを導入することにより、前記塩素系化合物を除去し、前記基板を前記反応室から搬送し、前記反応室内で不活性ガスによりプラズマ処理を行うことにより、前記反応室に残存するH2Oを除去することを特徴とする金属配線の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) , H01L 21/3213 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/302 101 H , H01L 21/88 D , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 627 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

レジスト膜の灰化方法と水蒸気の供給方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-232700 出願人：富士通株式会社
特開平3-041728
特開平3-041728

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