特許
J-GLOBAL ID：201103006457984636
磁性体スパッタリングターゲット及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小越 勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-253753
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076955
特許番号：特許第4698779号
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】溶解・鋳造後、得られたインゴットを圧延したターゲットであって、ターゲットのスパッタ面内において、初磁化曲線上の最大透磁率、保持力、角型比のいずれかのターゲットの磁気特性の最大値と最小値が、その中間値の±15%以内であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用圧延磁性体ターゲット。
IPC (4件)：
H01F 41/18 ( 200 6.01)
, C23C 14/34 ( 200 6.01)
, G11B 5/851 ( 200 6.01)
, B21B 1/42 ( 200 6.01)
H01F 41/18
, C23C 14/34 A
, G11B 5/851
, B21B 1/42
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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