半導体受光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197272
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024211
特許番号：特許第3708758号
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】膜厚が0.2μm以下の光吸収層である第1の半導体層と、当該第1の半導体層の第1および第2の面の上にそれぞれ形成された光ガイド層である第2および第3の半導体層と、当該第2および第3の半導体層上にそれぞれ形成された光を閉じ込めるためのクラッド層である第4および第5の半導体層を少なくとも具備し、導波路内で励振される導波光の分布が二つのピークを持ち、当該二つのピークのうち、上記第1の半導体層内に存在するピークが、他の一つのピークと同等若しくは当該他の一つのピークより低くなるように、上記第2の半導体層と上記第3の半導体層の厚さが互いに異なることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：