特許
J-GLOBAL ID：201103007031277521
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法、並びに、通信装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-021950
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217255
特許番号：特許第3509682号
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ベース層上にメサ状のエミッタ層で成るエミッタメサ部が設けられると共に、上記ベース層における上記エミッタメサ部よりも外側の領域である外部ベース領域の表面を露出させないように、上記外部ベース領域の表面上まで上記エミッタメサ部における下層外周部が延在しているヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記外部ベース領域上に在るエミッタ層の厚みが、上記エミッタメサ部の近傍に位置する第1の領域よりも、上記第1の領域の外側に位置する第2の領域の方が厚くなっており、上記第2の領域は、上記外部ベース領域よりも外側に張り出したリッジ部を有していることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 21/306
, H01L 21/308
, H01L 29/737
H01L 21/308 C
, H01L 29/72 H
, H01L 21/306 B
