特許
J-GLOBAL ID：201103007347191734
量子ドット半導体光増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-116932
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243891
出願日： 2010年05月21日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：
【課題】高速光通信で所望される、1.3μm帯用で狭い帯域を増幅することができる光増幅器を実現する。【解決手段】N-GaAs基板1上に、N-AlGaAsクラッド層2、量子ドット活性層3、P-AlGaAsクラッド層4、P-GaAsコンタクト層5の順で構成される量子ドット構造を設け、前記活性層3を均一な量子ドットで構成することにより、波長1.3μm帯用の半値幅30nm以下の狭帯域用半導体光増幅器を提供する。注入電流により、利得波長以外の波長を減衰させることができ、また偏向状態をスイッチングすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層が均一な量子ドットである半導体構造を備え、波長1.3μm帯の光増幅特性を有することを特徴とする狭帯域用半導体光増幅器。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01S5/50 610
, H01S5/50 630
, H01S5/343
5F173AF08
, 5F173AH03
, 5F173AP09
, 5F173AR02
, 5F173AR42
, 5F173AS01
