特許
J-GLOBAL ID：201003014633429658
光デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-218206
公開番号（公開出願番号）：特開2010-054695
出願日： 2008年08月27日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】本発明は、結晶成長技術以外の方法を用いて、量子ドット集合体のスペクトル幅の狭帯化を実現することを課題とする。【解決手段】量子ドット集合体を有する第1の基板を用意する工程と、第1の基板とウエハ接合を行うための第2の基板を用意する工程と、第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する工程と、第1の基板の量子ドット集合体が形成された側と第2の基板とを接合する工程と、接合した基板を加熱する工程と、第1の基板の薄膜化を行う工程とを含む光デバイスの製造方法である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
量子ドット集合体を有する第1の基板を用意する工程と、
第1の基板とウエハ接合を行うための第2の基板を用意する工程と、
第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する工程と、
第1の基板の量子ドット集合体が形成された側と第2の基板とを接合する工程と、
接合した基板を加熱する工程と、
第1の基板の薄膜化を行う工程とを含む光デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
2H147AB03
, 2H147BA15
, 2H147EA12A
, 2H147EA12B
, 2H147EA13C
, 2H147EA16D
, 2H147FA07
, 2H147FA25
, 2H147FC08
, 2H147FD14
, 2H147FF05
, 2H147FF06
, 2H147GA12
, 2H147GA15
, 2H147GA17
, 2H147GA24
, 2H147GA29
審査官引用 (7件)
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光デバイスの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-202509
出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
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光デバイスの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-220692
出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
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光半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-263074
出願人：富士通株式会社
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