特許
J-GLOBAL ID：201103007470587685
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073879
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269333
特許番号：特許第4260275号
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた複数の素子領域と、
前記素子領域間に設けられて前記素子領域の表面よりも高い位置に表面を有する素子分離領域と、
前記半導体基板の前記素子領域内に形成された不純物拡散領域と、
前記素子領域及び前記素子分離領域の上方に形成された複数の帯状の導電層と、
前記導電層の上面及び側面を被覆する第1の絶縁膜と、
前記素子領域上の前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、
前記素子分離領域上の前記第1の絶縁膜並びに前記素子領域上の前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜により相互に電気的に分離され、かつ前記不純物拡散領域と電気的に接続する複数のコンタクトプラグとを有し、
前記コンタクトプラグの上面と、前記素子分離領域の上方の第1の絶縁膜の上面と、前記素子領域の上方の前記第2の絶縁膜の上面とが同一面上にあることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 301 R
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 681 B
