特許
J-GLOBAL ID：201103007550869045
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314918
公開番号（公開出願番号）：特開2003-121979
特許番号：特許第3619484号
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】透明基板上に、遮光性膜で形成された遮光部と、該遮光部を挟んで該遮光部の両側に形成された透光部とを有し、前記透光部の一方が透明基板を堀り込んで形成されたシフター部であり、前記透光部の他方が透明基板を堀り込まない通常の透光部である位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上の遮光性膜に、前記通常の透光部を形成するためのレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして遮光性膜をエッチングして前記通常の透光部を形成するための遮光性膜開口を形成した後、レジストを剥離する工程と、次に、前記工程で得られた透明基板上に、透明基板を堀り込んで形成される前記シフター部を形成するためのレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして遮光性膜をエッチングして前記シフター部を形成するための遮光性膜開口を形成する工程と、前記シフター部を形成するための遮光性膜開口によって露出した透明基板を所定の量エッチングする工程と、を有し、前記遮光性膜開口を形成する際に、前記シフター部を形成するための遮光性膜開口と前記通常の透光部を形成するための遮光性膜開口とで異なるプロセス条件を用いることにより、前記シフター部を形成するための遮光性膜開口寸法を、前記通常の透光部を形成するための遮光性膜開口寸法よりも大きく形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
