特許
J-GLOBAL ID：201103008678157486
半導体レーザ構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-059493
公開番号（公開出願番号）：特開2011-192913
出願日： 2010年03月16日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【課題】トンネル接合層のトンネル効率が高く、トンネル接合層における光の閉じ込めや吸収が生じにくい半導体レーザ構造を提供すること。【解決手段】(a)n型クラッド層2、8、(b)発光層3、4、5、9、10、11、及び(c)p型クラッド層5、12を積層して成るレーザ構造単位101、103を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位101、103の間に、p型導電型層7a及びn型導電型層7bから成るトンネル接合層7を備え、前記p型導電型層7aと前記n型導電型層7bの少なくとも一方の層内のバンドギャップエネルギーが一様でなく、前記p型導電型層7aと前記n型導電型層7bとの界面におけるバンドギャップエネルギーが、前記トンネル接合層7におけるバンドギャップエネルギーの平均値よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ構造。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)n型クラッド層、(b)発光層、及び(c)p型クラッド層を積層して成るレーザ構造単位を複数備えるとともに、
前記レーザ構造単位の間に、p型導電型層及びn型導電型層から成るトンネル接合層を備え、
前記p型導電型層と前記n型導電型層の少なくとも一方の層内のバンドギャップエネルギーが一様でなく、
前記p型導電型層と前記n型導電型層との界面におけるバンドギャップエネルギーが、前記トンネル接合層におけるバンドギャップエネルギーの平均値よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/042 610
, H01S5/026 610
5F173AD06
, 5F173AD10
, 5F173AG20
, 5F173AH03
, 5F173AP05
, 5F173AR07
