特許
J-GLOBAL ID:201103008764188220
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-186298
公開番号(公開出願番号):特開2011-039266
出願日: 2009年08月11日
公開日(公表日): 2011年02月24日
要約:
【課題】高解像度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好でラインエッジラフネスが小さいレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示される、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位a、スルホニウム塩を有する繰り返し単位b1及びb2のいずれか1つ以上、アミノ基を有する繰り返し単位cを有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。 【化1】【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも、下記一般式(1)で示される、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位a、スルホニウム塩を有する繰り返し単位b1及びb2のいずれか1つ以上、アミノ基を有する繰り返し単位cを有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (4件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, C08F 220/38
, H01L 21/027
FI (5件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, G03F7/004 501
, C08F220/38
, H01L21/30 502R
Fターム (84件):
2H125AF17P
, 2H125AF33P
, 2H125AF34P
, 2H125AH13
, 2H125AH16
, 2H125AH19
, 2H125AH22
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AH29
, 2H125AJ02Y
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ14Y
, 2H125AJ32Y
, 2H125AJ42Y
, 2H125AJ48Y
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ64Y
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ65Y
, 2H125AJ69X
, 2H125AJ82Y
, 2H125AJ92Y
, 2H125AN31P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN62P
, 2H125AN86P
, 2H125AN88P
, 2H125BA01P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CB16
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100AQ19T
, 4J100AQ26S
, 4J100AR36S
, 4J100AR39S
, 4J100BA03P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA11P
, 4J100BA11S
, 4J100BA20Q
, 4J100BA31S
, 4J100BA31T
, 4J100BA40S
, 4J100BA56R
, 4J100BA56S
, 4J100BB07S
, 4J100BB10R
, 4J100BB10S
, 4J100BB12R
, 4J100BB12S
, 4J100BC07Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC43R
, 4J100BC43S
, 4J100BC48Q
, 4J100BC48R
, 4J100BC49R
, 4J100BC53P
, 4J100BC65S
, 4J100BC65T
, 4J100BC73T
, 4J100BC79T
, 4J100CA03
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100JA38
引用特許:
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