特許
J-GLOBAL ID:201103008764188220

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-186298
公開番号(公開出願番号):特開2011-039266
出願日: 2009年08月11日
公開日(公表日): 2011年02月24日
要約:
【課題】高解像度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好でラインエッジラフネスが小さいレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示される、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位a、スルホニウム塩を有する繰り返し単位b1及びb2のいずれか1つ以上、アミノ基を有する繰り返し単位cを有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。 【化1】【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも、下記一般式(1)で示される、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位a、スルホニウム塩を有する繰り返し単位b1及びb2のいずれか1つ以上、アミノ基を有する繰り返し単位cを有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (4件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/38 ,  H01L 21/027
FI (5件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  C08F220/38 ,  H01L21/30 502R
Fターム (84件):
2H125AF17P ,  2H125AF33P ,  2H125AF34P ,  2H125AH13 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ32Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ82Y ,  2H125AJ92Y ,  2H125AN31P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN62P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100AQ19T ,  4J100AQ26S ,  4J100AR36S ,  4J100AR39S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11S ,  4J100BA20Q ,  4J100BA31S ,  4J100BA31T ,  4J100BA40S ,  4J100BA56R ,  4J100BA56S ,  4J100BB07S ,  4J100BB10R ,  4J100BB10S ,  4J100BB12R ,  4J100BB12S ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC43R ,  4J100BC43S ,  4J100BC48Q ,  4J100BC48R ,  4J100BC49R ,  4J100BC53P ,  4J100BC65S ,  4J100BC65T ,  4J100BC73T ,  4J100BC79T ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (3件)

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