基板処理装置およびドープシリコンガラス膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 池田成人 , 山田行一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-547278
特許番号：特許第4426101号
出願日： 1999年04月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板処理装置であって、前記装置は、真空チャンバと、堆積ガス源から堆積ガスを受けるように構成されたガス混合装置と、ドーパントガス源からのドーパントガスとシリコン含有ガス源からのシリコン含有ガスとを含んだ流れを受け、該流れを、バイパスを介して、前記ガス混合装置または排出装置のいずれかへと選択的に送り出すように構成された1つの弁と、前記混合装置を真空チャンバへと接続する導管と、前記真空チャンバを排出装置に接続する排出ラインと、を含む、基板処理装置。

IPC (3件)：