特許
J-GLOBAL ID：201103009656268493
窒化ケイ素回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
澤木 誠一
, 澤木 紀一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135929
特許番号：特許第3930671号
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化ケイ素基板の少なくとも片面に活性金属を含むろう材層を形成する工程と、
この基板のろう材上に銅板を配置し、ろう材の融点以上、銅の融点未満の温度に加熱し、銅板と窒化ケイ素基板をろう接する工程と、
銅板の上に所定形状の銅回路を形成する工程と、
銅回路外のろう材を除去する工程と、
窒素雰囲気中においてこの銅張り窒化ケイ素基板を330°C以上で加熱処理する工程とより成ることを特徴とする窒化ケイ素回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K 3/38 ( 200 6.01)
, C04B 37/02 ( 200 6.01)
H05K 3/38 D
, C04B 37/02 B
