特許
J-GLOBAL ID：201003084609094961
半導体基板の両面研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-209659
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045279
出願日： 2008年08月18日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：
【課題】半導体基板に対して求められる平坦度に応じて、研磨後の基板の外周ダレを可及的に防止して許容範囲内に抑制することができる半導体基板の両面研磨方法を提供する。【解決手段】互いに接近する方向に加圧された上下一対の研磨パッドの間に半導体基板を保持したキャリアを介装し、このキャリアを研磨砥粒の存在下に前記上下一対の研磨パッドの間で自転及び公転させ、キャリアに保持された半導体基板の表裏両面を上下一対の研磨パッドで同時に研磨する半導体基板の両面研磨方法であって、前記半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)と前記キャリアの厚さ(t)との間の厚み差(T-t)を5μm以上100μm以下の範囲に管理する、半導体基板の両面研磨方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
互いに接近する方向に加圧された上下一対の研磨パッドの間に半導体基板を保持したキャリアを介装し、このキャリアを研磨砥粒の存在下に前記上下一対の研磨パッドの間で自転及び公転させ、キャリアに保持された半導体基板の表裏両面を上下一対の研磨パッドで同時に研磨する半導体基板の両面研磨方法であって、前記半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)と前記キャリアの厚さ(t)との間の厚み差(T-t)を5μm以上100μm以下の範囲に管理することを特徴とする半導体基板の両面研磨方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/304 621A
, H01L21/304 622W
, H01L21/304 622R
, B24B37/04 F
3C058AA07
, 3C058AA11
, 3C058AB01
, 3C058AB04
, 3C058AB08
, 3C058AC02
, 3C058BA05
, 3C058BA09
, 3C058CB01
, 3C058CB10
, 3C058DA06
, 3C058DA17
出願人引用 (3件)
審査官引用 (8件)
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