特許
J-GLOBAL ID:201103011296473869
電源装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
永井 冬紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-127689
公開番号(公開出願番号):特開2011-254650
出願日: 2010年06月03日
公開日(公表日): 2011年12月15日
要約:
【課題】並列接続された2つの蓄電装置を切断状態から接続する際に、2つの蓄電装置の電圧の大小関係に関係なく、双方向の突入電流を防止することができる電源装置の提供。【解決手段】電源装置1は、並列接続される二次電池5とキャパシタ6とを結ぶ電流経路上に設けられて、経路切断状態と経路接続状態とを切り換えるMOSFET71,72と、MOSFET71,72と並列に接続され、直列接続された電流量制限用MOSFET73,74を有する電位差調整回路と、制御部11とを備えている。電流量制限用MOSFET73,74のボディダイオード731,741は対向するように設けられているので、電流量制限用MOSFET73,74が設けられた第二の電流ラインを介したプリチャージの際に、いずれの方向に対しても突入電流が発生するのを防止することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
負荷に対して並列接続される第一の蓄電装置および第二の蓄電装置と、
前記第一の蓄電装置と前記第二の蓄電装置とを結ぶ電流経路上に設けられて、経路切断状態と経路接続状態とを切り換える主スイッチング回路と、
直列接続された第一および第二のスイッチング回路を有し、前記主スイッチング回路と並列に接続される電位差調整回路とを備え、
前記第一のスイッチング回路は、前記第一の蓄電装置から前記第二の蓄電装置へ流れる電流を遮断する向きのボディダイオードを内蔵する少なくとも一つの第一の半導体スイッチング素子を有し、
前記第二のスイッチング回路は、前記第二の蓄電装置から前記第一の蓄電装置へ流れる電流を遮断する向きのボディダイオードを内蔵する少なくとも一つの第二の半導体スイッチング素子を有し、
前記第一の蓄電装置と前記第二の蓄電装置との間の電位差を低減させるように前記第一および第二の半導体スイッチング素子を制御し、電位差低減後に前記主スイッチング回路を前記経路切断状態から前記経路接続状態へ切り換える制御部をさらに備えた電源装置。
IPC (6件):
H02J 7/34
, B60L 3/00
, H02J 7/00
, B60L 11/18
, H01M 10/44
, H02J 1/00
FI (6件):
H02J7/34 B
, B60L3/00 S
, H02J7/00 P
, B60L11/18 B
, H01M10/44 P
, H02J1/00 309R
Fターム (34件):
5G065BA04
, 5G065DA01
, 5G065EA02
, 5G065GA09
, 5G065HA01
, 5G065LA01
, 5G065MA10
, 5G065NA05
, 5G503BA04
, 5G503BB01
, 5G503BB02
, 5G503BB03
, 5G503FA06
, 5G503GA12
, 5H030AS08
, 5H030BB01
, 5H030BB21
, 5H030FF43
, 5H030FF44
, 5H030FF51
, 5H115PA08
, 5H115PC06
, 5H115PG04
, 5H115PI14
, 5H115PI16
, 5H115PI29
, 5H115PU08
, 5H115PV24
, 5H115RB22
, 5H115SE06
, 5H115SE10
, 5H115TI05
, 5H115TR02
, 5H115TU17
引用特許: