特許
J-GLOBAL ID:201103011832402970
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-151030
公開番号(公開出願番号):特開2011-008001
出願日: 2009年06月25日
公開日(公表日): 2011年01月13日
要約:
【課題】ディフェクトの発生が抑制されたレジストパターンを良好なリソグラフィー特性で形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、下記一般式(c1-1)で表される構成単位(c1)および下記一般式(c2-1)で表される構成単位(c2)を有し、前記構成単位の(c2)の割合が20〜60モル%である含フッ素共重合体からなる添加剤成分(C)と、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、下記一般式(c1-1)で表される構成単位(c1)および下記一般式(c2-1)で表される構成単位(c2)を有し、前記構成単位の(c2)の割合が20〜60モル%である含フッ素共重合体からなる添加剤成分(C)と、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (5件):
G03F 7/004
, G03F 7/039
, H01L 21/027
, C08F 220/28
, C08F 212/04
FI (5件):
G03F7/004 501
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, C08F220/28
, C08F212/04
Fターム (50件):
2H125AF18P
, 2H125AF20P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AH17
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ69X
, 2H125AM12P
, 2H125AM22P
, 2H125AM27P
, 2H125AM32P
, 2H125AM92P
, 2H125AM99P
, 2H125AN02P
, 2H125AN39P
, 2H125AN57P
, 2H125AN63P
, 2H125BA00P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 4J100AB07P
, 4J100AJ02P
, 4J100AJ02Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100BA02P
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC08P
, 4J100BC12P
, 4J100BC43P
, 4J100BC49P
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100DA05
, 4J100DA39
, 4J100FA03
, 4J100FA19
, 4J100FA30
, 4J100JA37
引用特許:
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