特許
J-GLOBAL ID：201103012436119609

半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス

発明者：
チェン・カイ

チェン・カイ について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について


代理人 (4件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-291878
公開番号（公開出願番号）：特開2011-139067
出願日： 2010年12月28日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：
【課題】GaN含有へテロ層スタックと、光透過率のために粗面化された表面とを含む半導体デバイスの改良された製造方法の提供。【解決手段】III-V族材料の伝導層2を成長させる工程と、伝導層2の上に、伝導層2の第1部分が露出するようにマスクを形成する工程と、伝導層2の第1露出部分を部分的に分解してする工程とを含む。好適には、分解を伴う1つの工程で再堆積が起こり、複数の成長結晶3の結晶ファセット31に基づきテクスチュア表面を得る。結果のデバイスは、好適には、発光素子を含む。この伝導層は、上側に存在するのが好ましい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
1またはそれ以上のIII-V族材料のヘテロ層スタックを含み、層スタックの少なくとも1つの伝導層が、光伝導を増加するために、粗面化された表面またはテクスチュア表面を有する半導体デバイスの製造方法であって、 III-V族材料の伝導層を成長させる工程と、 伝導層の上に、伝導層の第1部分が露出するようにマスク層を形成する工程と、 伝導層の第1露出部分を部分的に分解して、粗面化された表面を得る工程と、を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/32
FI (2件)：
H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186
Fターム (6件)：
5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CB36
引用特許：
審査官引用 (3件)

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