特許

J-GLOBAL ID：200903043998330277

表面粗化による高効率の(B,Al,Ga,In)Nベースの発光ダイオード

発明者： 藤井 哲雄 ,  ガオ, ヤン ,  フー, イーブリン エル. ,  中村 修二
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-512858
公開番号（公開出願番号）：特表2007-521641
出願日： 2003年12月09日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

窒化ガリウム(GaN)ベースの発光ダイオード(LED)で、光はLEDの窒素面(N面)(42)を介して取り出される。また、N面(42)の表面は1つ以上の六角形状円錐に粗くされる。表面を粗くすると、LED内部で繰り返し起こる光の反射が減り、そのため、より多くの光をLEDから取り出せる。N面(42)の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、PECエッチングが挙げられ得る。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム(GaN)ベースの発光ダイオード(LED)であって、光は該LEDの窒素面(N面)を介して取り出され、該N面の表面は粗くされる、LED。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/306 B

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F043AA16 ,  5F043BB06 ,  5F043DD08 ,  5F043FF10 ,  5F043GG04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第3,739,217号明細書
  

審査官引用 (5件)

• 発光半導体素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-579374   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-269387   出願人：住友電気工業株式会社
• III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-084963   出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-179915   出願人：株式会社東芝
• 発光ダイオードランプおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-350879   出願人：ローム株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• GaN nanotip pyramids formed by anisotropic etching
• Characterization of inductively coupled plasma etched surface of GaN using Cl2/BCl3 chemistry
• 白色LED照明システムの高輝度・高効率・長寿命化技術, 20030327, 第19頁