特許
J-GLOBAL ID：200903030707845092
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-290063
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064113
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】窒化物化合物半導体結晶のようにウエットエッチングが有効でない物質系において、簡便な手段によって素子表面に微細な凹凸を形成し、光の取出し効率を高めて発光素子の発光効率を改善することを可能とする。【解決手段】発光素子の結晶成長後のエピタキシャルウェハ表面の窒化物系化合物半導体層1に金属膜6または金属窒化膜6aを形成し、この金属膜6または金属窒化膜6aを形成したウェハに、エッチングガスの雰囲気中で熱処理を加えて、ウェハ表面の窒化物系化合物半導体層1に多数の微細な凹凸10を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
結晶成長後のエピタキシャルウェハ表面の化合物半導体層に金属膜または金属窒化膜を形成する工程と、
前記金属膜または金属窒化膜を形成したウェハに、エッチングガスの雰囲気中で熱処理を加えて、ウェハ表面の化合物半導体層に多数の微細な凹凸を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB11
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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