半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019425
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223533
特許番号：特許第3494357号
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一主面に多数のバンプ電極が形成された半導体ペレットと、絶縁基板上に少なくとも前記半導体ペレットのバンプ電極と対応して平坦なパッド電極が形成された配線基板とを熱膨張率低減用のフィラーが分散された樹脂系接着材を介して対向させそれぞれの電極を重合させて加圧し各電極間を電気的に接続するとともに半導体ペレットと配線基板の対向面間を接着した半導体装置において、上記バンプ電極を接着材中のフィラーより軟らかい金属で構成し、かつこのバンプ電極をパッド電極に圧接させてパッド電極表面を凹湾曲させつつ、圧接端面と隣接する周面部分を圧潰により膨出させ、バンプ電極とパッド電極とが傾斜した環状圧接界面を有し、バンプ電極とパッド電極の前記の環状圧接界面の帯状リング部分の幅が圧接端面の直径の6%〜40%であることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/60 311

FI (1件)：

H01L 21/60 311 S

引用特許：

出願人引用 (4件)

電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-075970 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
特開平4-082241
半導体実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-157751 出願人：株式会社ティ・アイ・エフ

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