特許
J-GLOBAL ID:201103012796356997

基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-188147
公開番号(公開出願番号):特開2001-019576
特許番号:特許第4328414号
出願日: 1999年07月01日
公開日(公表日): 2001年01月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 窒化アルミニウム焼結体の表面に導電層が形成されてなる基板の製造方法であって、窒化アルミニウム粉末、焼結助剤及び有機結合剤よりなる窒化アルミニウム成形体の表面に、平均粒径0.8〜5μmの高融点金属粉末100重量部及び窒化アルミニウム粉末12〜15重量部よりなる導電ペーストの層を形成し、窒化アルミニウム成形体中の残留炭素率が800〜2500ppmの範囲になるように脱脂した後、1200〜1700°Cの温度で焼成し、次いで1800〜1900°Cの温度で焼成することを特徴とする基板の製造方法。
IPC (1件):
C04B 41/88 ( 200 6.01)
FI (1件):
C04B 41/88 Q
引用特許:
審査官引用 (4件)
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