多結晶シリコン薄膜トランジスタとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028371
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228525
特許番号：特許第3237642号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラス基板上に多結晶シリコン層が成膜され、この多結晶シリコン層に不純物が導入されたドレイン領域及びソース領域と、前記ドレイン領域とソース領域間に形成されるチャンネル領域と、このチャンネル領域上に設けられるゲート電極とからなる多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタのチャンネル領域下部に、水素供給層と、この水素供給層を覆うように成膜された水素の外方拡散防止層とを形成すると共に、前記水素供給層と外方拡散防止層とを、前記ガラス基板の裏面に設けた凹部内に形成したことを特徴とする多結晶シリンコン薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：