特許
J-GLOBAL ID：200903057544204820
半導体装置、それを用いた表示装置およびそれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241935
公開番号（公開出願番号）：特開平9-138426
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 高速に動作し、低しきい値特性を有する半導体装置と、それを応用したアクティブマトリックス表示装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層(5,6,9)の上部に半導体層(5,6,9)と離れて水素供給層(13)を設け、さらにその水素供給層(13)の上部に、水素供給層(13)から上方に水素が逃げてしまう外方拡散を抑制する水素拡散抑止層(14)を水素供給層(13)に接して設ける。水素拡散抑止層(14)は、高融点金属またはその化合物で構成する。水素供給層(13)は、プラズマCVD法によってSiNやアモルファスSiを堆積させることによって設ける。
請求項（抜粋）：
半導体領域の上部に前記半導体領域と離れて水素供給層を設け、前記水素供給層の上部に前記水素供給層に接し、高融点金属またはその化合物からなる水素拡散抑止層を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 627 E
