III族窒化物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227075
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053338
特許番号：特許第3724267号
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】n形のIII族窒化物半導体からなる障壁層と、インジウム濃度を相違する複数の相からなるインジウム含有III族窒化物半導体からなる発光層(多相構造発光層)と、CuAlO2からなるp形酸化物層とを含む発光部を備えたIII族窒化物半導体発光素子であって、p形酸化物層と、多相構造発光層との間に、組成式AlXGaYInZN(0<X≦1、0≦Y<1、X+Y+Z=1)で表記される、p形酸化物層の構成元素が発光層へ拡散するのを防止するためのIII族窒化物半導体層が設けられていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：