電界効果トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010137
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208755
特許番号：特許第3440861号
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上にn型SiC層を形成し、酸化処理により前記n型SiC層上に酸化膜を形成し、前記酸化膜の一部を除去することにより前記n型SiC層の表面を露出させ、露出した前記n型SiC層の表面上にAlGaN層を形成し、前記AlGaN層上にゲート電極を形成し、前記AlGaN層近傍の前記酸化膜の2個所を除去することにより前記n型SiC層の表面に2個所の露出部を形成し、一方の露出部にソース電極を形成し、他方の露出部にドレイン電極を形成することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：