磁性半導体をメモリに用いる方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369900
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174174
特許番号：特許第4494688号
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸化亜鉛(ZnO)を母体とする磁性半導体、III-V族化合物半導体を母体とする磁性半導体、またはII-VI族化合物半導体を母体とする磁性半導体のうち一つを用い、該磁性半導体1に設けたソース(電極)2とドレイン(電極)3、及び絶縁体4を介して設けた透明電極5からなる半導体デバイスの回路において、透明電極5を通して該磁性半導体1に光を照射し、電圧(Vg)をドレイン3と透明電極5間に印加することによって、該磁性導体のスピングラス状態を出発点として、該磁性半導体の複数個存在する準安定状態を経由して、光励起により生成するホール又は電子をスピングラス状態の領域にバイアス電圧を印加することにより導入し、ホール濃度又は電子濃度が該磁性半導体の強磁性転移点を超えたとき、または光励起が励起の限界回数を超えたときにスピングラス状態が安定な基底状態である強磁性ハーフメタル状態に転移することをもって光励起による刺激入力を該磁性半導体に記憶させることを特徴とする磁性半導体をメモリに用いる方法。

IPC (4件)：

H01L 29/82 ( 200 6.01) , G06G 7/12 ( 200 6.01) , H01L 21/8246 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/82 Z , G06G 7/12 F , H01L 27/10 447

引用特許：

審査官引用 (7件)

電子回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016018 出願人：キヤノン株式会社
ニューロ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-174558 出願人：ローム株式会社
ニューロデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-025880 出願人：沖電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (4件)

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