半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ネクスト
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362802
公開番号（公開出願番号）：特開2001-184865
特許番号：特許第4651766号
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の電源電圧で動作する第1の動作モードと、該第1の電源電圧よりも低い第2の電源電圧でメモリセルのリフレッシュ動作を実行する第2の動作モードを有し、メモリセル領域の基板部に印加する基板電圧を発生する基板電圧発生回路と、前記メモリセルの前記リフレッシュ動作を前記第1の動作モードにおいて所定周期で行うリフレッシュ部とを有する半導体記憶装置において、前記第1の動作モードから第2の動作モードへ遷移する際に前記第1の電源電圧から前記第2の電源電圧に設定された後の前記基板電圧の変動期間中に、前記所定周期よりも短縮された第1周期で前記リフレッシュ動作を実行するように前記リフレッシュ部を制御するリフレッシュ制御部とを備え、前記リフレッシュ制御部は、前記基板電圧の変動期間中に前記基板電圧が浅くなる程、前記第1周期を長くすることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/4074 ( 200 6.01) , G11C 11/403 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 11/34 354 G , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 363 M

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-044369 出願人：三菱電機株式会社
ダイナミックRAMの基板電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-010160 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-080863 出願人：株式会社東芝

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