特許
J-GLOBAL ID:201103014979776181

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小島 隆司 ,  西川 裕子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-204603
公開番号(公開出願番号):特開2003-021904
特許番号:特許第3871024号
出願日: 2001年07月05日
公開日(公表日): 2003年01月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。 (式中、R1、R2は水素原子、ヒドロキシ基、直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換可アルコキシ基、又はハロゲン原子、R3は酸不安定基を表す。また、mは0又は1〜4の正の整数であり、p、qは正数である。)
IPC (5件):
G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  C08F 232/08 ( 200 6.01) ,  C08F 234/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (5件):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  C08F 232/08 ,  C08F 234/00 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
出願人引用 (7件)
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