特許
J-GLOBAL ID：200903073155399697

化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

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西 恒寛

西 恒寛 について

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永田 岳志

永田 岳志 について

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名倉 茂広

名倉 茂広 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-251341
公開番号（公開出願番号）：特開平11-084661
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：
【要約】【解決手段】 ベース樹脂として、式(1)で示される重量平均分子量3,000〜300,000の高分子化合物を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】〔(R<SP>1</SP>はH又はCH<SB>3</SB>を示し、R<SP>2</SP>はC<SB>1</SB>〜C<SB>8</SB>のアルキル基、R<SP>3</SP>は-COOCHR<SP>5</SP>R<SP>6</SP>、-COCR<SP>7</SP>R<SP>8</SP>R<SP>9</SP>、-CHR<SP>10</SP>R<SP>11</SP>(R<SP>5</SP>〜R<SP>11</SP>はH、C<SB>1</SB>〜C<SB>20</SB>のアルキル基、アルケニル基又はアシル基を示し、R<SP>5</SP>とR<SP>6</SP>、R<SP>7</SP>とR<SP>8</SP>、R<SP>7</SP>とR<SP>9</SP>、R<SP>8</SP>とR<SP>9</SP>、R<SP>7</SP>とR<SP>8</SP>とR<SP>9</SP>、R<SP>10</SP>とR<SP>11</SP>は環を形成してもよい。)より選ばれる酸安定基を示す。R<SP>4</SP>は酸不安定基を示し、p、q、rは正数であり、0<p≦0.6、0<q≦0.6、0.1<p+q≦0.6、p+q+r=1である。)〕【効果】 本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、高解像度でドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを与える。
請求項（抜粋）：
ベース樹脂として、下記一般式(1)で示される重量平均分子量3,000〜300,000の高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】〔(式中、R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基を示し、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R<SP>3</SP>は下記一般式(2a)、(2b)、(2c)より選ばれる酸安定基を示す。R<SP>4</SP>は酸不安定基を示し、p、q、rは正数であり、0<p≦0.6、0<q≦0.6、0.1<p+q≦0.6、p+q+r=1である。)【化2】(式中、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>、R<SP>7</SP>、R<SP>8</SP>、R<SP>9</SP>、R<SP>10</SP>、R<SP>11</SP>はそれぞれ独立して水素原子、同一もしくは異種の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基又はアシル基を示し、R<SP>5</SP>とR<SP>6</SP>、R<SP>7</SP>とR<SP>8</SP>、R<SP>7</SP>とR<SP>9</SP>、R<SP>8</SP>とR<SP>9</SP>、R<SP>7</SP>とR<SP>8</SP>とR<SP>9</SP>、R<SP>10</SP>とR<SP>11</SP>は環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>、R<SP>7</SP>、R<SP>8</SP>、R<SP>9</SP>、R<SP>10</SP>、R<SP>11</SP>はそれぞれ炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基又はカルボニル基を示す。)また、上記一般式(1)で示される高分子化合物はフェノール性水酸基の水素原子を0モル%を超え50モル%以下の割合で下記一般式(3a)又は(3b)で示されるC-O-C基を有する基で置換することにより分子内及び/又は分子間で架橋されていてもよい。【化3】(式中、R<SP>12</SP>、R<SP>13</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。または、R<SP>12</SP>とR<SP>13</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>12</SP>、R<SP>13</SP>は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>14</SP>は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。Aは、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。cは2〜8、c’は1〜7の整数である。)〕
IPC (4件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
審査官引用 (6件)
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