SnO2系焼結体、薄膜形成用材料および導電膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090161
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281431
特許番号：特許第4018839号
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Al、Si、Nb、TaおよびYからなる群から選ばれた少なくとも1種を含有するSnO2系薄膜形成用材料であって、NbおよびTaの双方を必須成分として含有し、その添加量の合計が酸化物換算で20重量%以下であるSnO2系混合粉末を成形し、大気雰囲気または酸素雰囲気中において1450°C以上で焼結されたSnO2系焼結体からなり、その比抵抗が1×104Ω・cm以下であることを特徴とする、SnO2系薄膜形成用材料。

IPC (7件)：

C04B 35/457 ( 200 6.01) , C23C 14/34 ( 200 6.01) , H01B 1/08 ( 200 6.01) , H01B 5/14 ( 200 6.01) , H01J 9/02 ( 200 6.01) , H01J 11/00 ( 200 6.01) , H01J 17/04 ( 200 6.01)

FI (7件)：

C04B 35/00 R , C23C 14/34 A , H01B 1/08 , H01B 5/14 A , H01J 9/02 F , H01J 11/00 A , H01J 17/04

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭64-033877
特開昭64-033877
特開昭57-034302

全件表示

前のページに戻る